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AOI7N65中文资料

  • 大小：462KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
  • 现有数量：0现货
  • 价格：3,500 : ￥3.78638管件
  • 系列：-
  • 包装：管件
  • 产品状态：不适用于新设计
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.56 欧姆 @ 3.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1180 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：178W（Tc）
  • 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-251A
  • 封装/外壳：TO-251-3 短截引线，IPak

AOI7N65供应商

更新时间:2023-01-25 08:46:03
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